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高壓介損試驗的測試原理
點擊次數(shù):1916 更新時間:2014-09-09

高壓介損試驗的測試原理:

    電介質(zhì)在交流電壓作用下,除電導和周期性緩慢極化引起的損耗外,有時可能產(chǎn)生游離損耗,即電暈和局部放電損耗,這些損耗統(tǒng)稱為介質(zhì)損耗。介質(zhì)損耗因數(shù)tgδ的測量,習慣上簡稱“介損試驗”。

介質(zhì)在交流電壓作用下的情況如圖3-1(a)所示,

3-1 絕緣介質(zhì)在交流電壓作用下的電路圖和相量圖

a)電路示意圖         (b)等值電路圖            (c)相量圖

通常把絕緣介質(zhì)看成由一個等值電阻R和一個等值無損耗電容C并聯(lián)組成的電路,如圖3-1b)所示,通過介質(zhì)的總電流Ì是由通過R的有功電流ÌR和通過C的無功電流ÌC所組成。ÌR流過電阻R所產(chǎn)生的功率代表全部的介質(zhì)損耗, ÌR越大,介質(zhì)損耗越大。由ÌR 、ÌCÌ所組成的相量圖如3-1(c)所示,從圖中可以看出ÌR的大小與ÌÌC之間的夾角δ有關(guān),δ越大,ÌR越大,因此,稱δ為介質(zhì)損失角。從圖中可得出:介質(zhì)損耗P與介質(zhì)損失角δ之間有如下的關(guān)系式:

ÌR=U/R        ÌC=U/XC=ωCU     tgδ=ÌR /ÌC=1/ωCR

P=UÌR= UÌCtgδ==UωCUtgδ=U2ωCtgδ

其中,P——絕緣介質(zhì)中的損耗功率

U——被試品上的交流電壓有效值

C——被試品電容

ω——電源角頻率

從上述關(guān)系式可以看出,通過測量tgδ值可以反映出絕緣介質(zhì)損耗的大小。

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